Chipset Features Setup
الخاصية الثامنة و العشرون: SDRAM CAS Latency Time
الخيارات: 2 ، 3
هذه الخاصية تتحكم بمقدار وقت التأخير مقاسا بدورات
الساعة( clock cycles - CLKs يقصد بدورات الساعة بأنها الزمن اللازم لإنتقال
الأمر من المعالج الى الذاكرة و العودة مرة أخرى) و يحصل هذا التأخير قبل أن
تبدأ ذاكرة SDRAM بتنفيذ أمر القراءة بعد تسلمها إياه ، كما أن هذه الخاصية
تحدد عدد دورات الساعة اللازمة لإنهاء الجزء الأول من عملية نقل البيانات
كلما كان مقدار التأخير أقل كلما زادت سرعة نقل البيانات ، و لكن بعض
أنواع SDRAM لا تستطيع أن تدعم الإنخفاض في التأخير مما يؤدي الى عدم استقرارها
لذى ينصح باختيار القيمة 2 للأداء الأفضل ، و إذا عانيت من عدم استقرار للجهاز فغير القيمة الى 3.
الخاصية التاسعة و العشرون: SDRAM Cycle Time Tras/Trc
الخيارات: 5/6, 6/8
هذه الخاصية تحدد العدد الأدنى من دورات الساعة التي يحتاجها TRAS و TRC .
Tras هو اختصار ل SDRAM's Row Active Time و الذي هو عبارة عن طول المدة
التي يستغرقها أي صف في ذاكرة SDRAM و التي تتكون من صفوف و أعمدة ، لكي يفتح و
يصبح جاهزا لنقل البيانات .
بينما يشير TRC الى Row Cycle Time و هو الوقت اللازم لأكمال عملية فتح و تحديث الصف في ذاكرة SDRAM.
كلما قلت المدة زادت السرعة لهذا يفضل اختيار العدد 5/6 و لكن إن أصبح
نظامك غير مستقر فغير القيمة الى 6/8.
الخاصية الثلاثون: SDRAM RAS-to-CAS Delay
الخيارات: 2 و 3
تسمح هذه الخاصية بتحديد الزمن الفاصل بين
إشارات RAS (Row Address Strobe) و إشارات CAS (Column Address Strobe) ، و هذه
الفترة الزمنية ستتكرر مع كل كتابة على ذاكرة SDRAM أو قراءة منها أو تحديثها.
و كلما قلت هذه المدة تحسن الأداء ، إذا ً اختر 2 و إن عانيت من مشاكل في استقرار
الجهاز غير القيمة الى 3.
الخاصية الواحدة و الثلاثون : SDRAM RAS Precharge Time
الخيارات : 2 ، 3
تحدد هذه الخاصية عدد دورات الساعة اللازمة ل RAS لتنجز عملية شحنها قبل أن
يتم تحديث الذاكرة SDRAM ، بتقليل هذا العدد سيتحسن الأداء ، لهذا ينصح ياختيار 2 فإذا
عانيت من مشاكل في ثبات الجهاز فاختر 3.
الخاصية الثانية و الثلاثون : SDRAM Cycle Length
الخيارات : 2 ، 3
هذه الخاصية مشابهة تماما للخاصية الثامنة و العشرون SDRAM CAS Latency Time و لها نفس الوظيفة.
الخاصية الثالثة و الثلاثون: SDRAM Leadoff Command
الخيارات: 3، 4.
باستخدام هذه الخاصية تستطيع التحكم بالوقت الذي يمر قبل أن يسمح بالوصول
الى البيانات المخزنة في ذاكرة SDRAM ، كلما قل زمن الوصول كلما كان أفضل ، إذاً و كما
في الخواص السابقة اختر 3 فإذا عانيت من عدم ثبات الجهاز فاختر 4.
الخاصية الرابعة و الثلاثون: SDRAM Precharge Control
الخيارات: Enabled, Disabled
هذه الخاصية تحدد فيما إذا كان المعالج أو ذاكرة SDRAM سيكون المسئول عن التحكم بعملية
شحن ذاكرة SDRAM.
عند تعطيل هذه الخاصية فإن أوامر المعالج للذاكرة ستؤدي الى شحن جميع قطاعات
ذاكرة SDRAM و هذا يؤدي الى تحسين الثبات و لكنه يؤدي الى خسارة في الأداء.
أما عند تفعيل هذه الخاصية فإن عملية الشحن ستكون موكلة بالكامل للذاكرة بنفسها
و هذا يقلل عدد المرات التي يتم فيها شحن ذاكرة SDRAM ، حيث أن عدة دورات للمعالج
و التي تكون موجهة للذاكرة تتم قبل أن تكون الذاكرة بحاجة الى إعادة شحن، لهذا ينصح بتفعيل
هذه الخاصية لأفضل أداء و لكن مع مو اجهة مشاكل في الثبات يمكنك تعطيلها.
الخاصية الخامسة و الثلاثون: DRAM Data Integrity Mode
الخيارات: ECC, Non-ECC
ECC هي اختصار ل Error Checking and Correction ، و هذه الخاصية يجب تفعيلها فقط إذا
كنت تملك ذاكرة خاصة هي 72-bit ECC RAM ، و عند تفعيلها فإن النظام سيتمكن من إيجاد
الأخطاء أحادية البت و تصحيحها تلقائيا ، إذاً ينصح بتفعيلها ( و ذلك باختيار ECC ) فقط
إذا كنت تمتلك هذه الذاكرة الخاصة و عطلها أي اختر Non-ECC إذا كنت لا تملك مثل هذه الذاكرة.
الخاصية السادسة و الثلاثون: SDRAM Bank Interleave
الخيارات: 2-Bank, 4-Bank, Disabled
هذه الخاصية تسمح لك بالتحكم بنمط التداخل في واجهة عمل ذاكرة SDRAM.
يسمح لك التداخل بإجراء تبادل بين دورات الوصول و التحديث لقطاعات SDRAM ، فبينما يتم
تحديث قطاع ما في الذاكرة ، يتم الوصول الى قطاع آخر في نفس الوقت ، و هذا يؤدي الى
تحسن كبير في أداء ذاكرة SDRAM نظرا للتوفير في الوقت الذي يمر عند تحديث كل قطاع في الذاكرة.
لنلق نظرة على ما يحدث في ذاكرة SDRAM مكونة من أربع قطاعات :
1- يرسل المعالج العنوان الأول لإيجاد البيانات المطلوبة الى القطاع الأول من لوحة الذاكرة SDRAM.
2- يرسل المعالج العنوان الثاني لإيجاد البيانات المطلوبة الى القطاع الثاني من لوحة
الذاكرة SDRAM و في نفس الوقت يتلقى البيانات التي طلبها من القطاع الأول.
3-يرسل المعالج العنوان الثالث لإيجاد البيانات المطلوبة الى القطاع الثالث من لوحة
الذاكرة SDRAM و في نفس الوقت يتلقى البيانات التي طلبها من القطاع الثاني.
4- يرسل المعالج العنوان الرابع لإيجاد البيانات المطلوبة الى القطاع الرابع من لوحة
الذاكرة SDRAM و في نفس الوقت يتلقى البيانات التي طلبها من القطاع الثالث.
5- يتلقى البيانات التي طلبها من القطاع الرابع.
و لكي ندرك مقدار التوفير في الوقت الذي نحصل عليه باستخدام خاصية التداخل interleaving
لنرى كيف ستتم الخطوات السابقة بدون استخدام التداخل:
1- يتم تحديث ذاكرة SDRAM.
2- يرسل المعالج العنوان الأول للبيانات المطلوبة الى ذاكرة SDRAM.
3- يتلقى المعالج البيانات الموجودة في العنوان الأول من الذاكرة.
4- يتم تحديث ذاكرة SDRAM.
5- يرسل المعالج العنوان الثاني للبيانات المطلوبة الى ذاكرة SDRAM.
6- يتلقى المعالج البيانات الموجودة في العنوان الثاني من الذاكرة.
7- يتم تحديث ذاكرة SDRAM.
8- يرسل المعالج العنوان الثالث للبيانات المطلوبة الى ذاكرة SDRAM.
9- يتلقى المعالج البيانات الموجودة في العنوان الثالث من الذاكرة.
10- يتم تحديث ذاكرة SDRAM.
11- يرسل المعالج العنوان الرابع للبيانات المطلوبة الى ذاكرة SDRAM.
12- يتلقى المعالج البيانات الموجودة في العنوان الرابع من الذاكرة.
الآن و قد عرفنا أهمية خاصية التداخل ، لابد أن نعرف أن هذه الخاصية مفيدة فقط إذا
كانت البيانات المتتالية المطلوبة من قطاعات مختلفة من الذاكرة.
كل لوحة SDRAM DIMM تتكون إما من من قطاعين أو من أربع قطاعات.
موضوع: تعلم برمجة المذربورد MotherBord للكمبيوتر الجزء الثالث